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주요생산품-Hot Plate

제품명 : LP

본문

- 반도체 12” WAFER 용
- HRAD BAKE용
- WAFER OXIDE와 PR과의 사이의 접착력을  증가하기 위하여 진공 상태에서 HMDS 분사
항목 내용 항목 내용
WORKING TEMP. 200℃, MAX DIMENSION Φ315*32T
MATERIAL A6061 HEATER TYPE MICA, Ni-Cr
HEAT CAPACITY APPROX. 2500W SURFACE TREATMENT HARD ANODIZED
PROXIMITY GAP ZrO2 BALL 사용 SENSOR Pt-100Ω, DIN-A CLASS
TEMP. UNIFORMITY Range 1℃ 이내 (at 180℃), Chamber 구성, SensArray 측정, Offset값 적용 시 FLATNESS 0.050mm 이하
제작 방식 OEM    

그누보드5
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