제품명 : LP
본문
- 반도체 12” WAFER 용
- HRAD BAKE용
- WAFER OXIDE와 PR과의 사이의 접착력을 증가하기 위하여 진공 상태에서 HMDS 분사
- HRAD BAKE용
- WAFER OXIDE와 PR과의 사이의 접착력을 증가하기 위하여 진공 상태에서 HMDS 분사
| 항목 | 내용 | 항목 | 내용 |
|---|---|---|---|
| WORKING TEMP. | 200℃, MAX | DIMENSION | Φ315*32T |
| MATERIAL | A6061 | HEATER TYPE | MICA, Ni-Cr |
| HEAT CAPACITY | APPROX. 2500W | SURFACE TREATMENT | HARD ANODIZED |
| PROXIMITY GAP | ZrO2 BALL 사용 | SENSOR | Pt-100Ω, DIN-A CLASS |
| TEMP. UNIFORMITY | Range 1℃ 이내 (at 180℃), Chamber 구성, SensArray 측정, Offset값 적용 시 | FLATNESS | 0.050mm 이하 |
| 제작 방식 | OEM |
