PHOTO BAKE SYSTEM
PHOTO BAKE SYSTEM의 공정 상 위치
반도체 제조 공정 별 Bake 사용 구분
고정 | Bake 구분 | 역할 | 사용 온도 | 정밀도 | MICA Heater | Ceramic Heater | Heater 제어영역 |
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Photo 공정 |
Adhesion Bake | 고온에서 HMDS 도포 처리를 통해 Wafer의 Adhesion을 강화 | 120~180℃ | R ≤1.5℃ | ○ | △ | 1-zone or 2-zone |
BARC ( Bottom Anti-Reflective Coating ) Bake |
ARC Chemical의 solvent를 휘발시켜 Thickness 형성 | 200~250℃ | R ≤2.5℃ | ○ | △ | 1-zone or 2-zone | |
Soft Bake | Photo Resist의 solvent를 휘발시켜 PR의 Thickness 형성 | 90~120℃ | R ≤0.3℃ | △ | ○ | 15-zone | |
PEB(Post Exposure Bake) Bake | I-LINE공정의 노광 파장의 Standing Wave 감소 KrF공정 이상에서는 노광 후 PR의 촉매 반응을 관리함. |
90~120℃ | R ≤0.3℃ | △ | ○ | 15-zone | |
Hard Bake | Pattern 형성 후 최종 경화 및 Dry | 90~120℃ | R ≤1.5℃ | ○ | △ | 1-zone or 2-zone | |
박막 공정 |
H-SOH Bake | 초 고온에서 고분자 Chemical의 반응을 유도하여 Hardmask 기능의 단층을 형성 | 400℃ | R ≤12℃ | ○ | △ | 1-zone or 2-zone |
C-SOH, Si-SOH Bake | 고온에서 HMDS 도포 처리를 통해 Wafer의 Adhesion을 강화 | 300℃ | R ≤12℃ | ○ | △ | 1-zone or 2-zone |
Hot / Cool Plate
Hot Plate 개요
HOT PLATE의 종류
HOT PLATE 품명 | 사용 온도(MAX,℃) | 주 재질 | 비고 |
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HP | 120 | A60601 | SOFT BAKING 용 |
EHP | 120 | AlN | PEB 전용, 정밀급 온도제어 |
HHP | 250 | A6061 | HARD BAKING 용 |
LP | 200 | A6061 | HMDS 공정을 위한 진공 PLATE |
SHP | 320 | A6061 | HARD BAKING 용 |
UHP | 420 | A6061 | HARD BAKING 용 |
AUHP | 420 | AlN | HARD BAKING 용 |
UUHP | 680 | AlN | 신규공정 적용 가능 |
HOT PLATE의 구조
Cool Plate
사양
냉각능력 | Approx. 600W이상 ( 설정온도 ) : 23℃, 방열수온도: 18℃, 방열수 유량: 5L/min |
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냉각방법 | TEM ( Thermoelectric Module )에 의한 Plate 직접 제어방식 |
방열방식 | 수냉식 (유량 : 5L/min, 수온: 18℃, 수압 : 0.5MPa 이하) |
Proximity 냉각 | Ceramic Ball ( Φ2.38 )에 의한 Proximity Gap 80㎛ |
온도센서 | 백금 측온 저항체 ( Pt100Ω-RTD ) |
온도제어범위 | 18 ~30℃ |
Plate Material and Surface Treatment | Upper Plate : A6061, Hard anodizing / Bottom Plate: AC2B, 무전해 Ni 도금 |
PCW Path Material | SUS 316 pipe ( O.D 3 / 8 inch ) |
안전 | Thermostat ( 60℃, Max. ) |