(주)주영

Semiconductor

PHOTO BAKE SYSTEM

PHOTO BAKE SYSTEM의 공정 상 위치

반도체 제조 공정 별 Bake 사용 구분

고정	Bake 구분	역할	사용 온도	정밀도	MICA Heater	Ceramic Heater	Heater 제어영역
Photo 공정	Adhesion Bake	고온에서 HMDS 도포 처리를 통해 Wafer의 Adhesion을 강화	120~180℃	R ≤1.5℃	○	△	1-zone or 2-zone
	BARC ( Bottom Anti-Reflective Coating ) Bake	ARC Chemical의 solvent를 휘발시켜 Thickness 형성	200~250℃	R ≤2.5℃	○	△	1-zone or 2-zone
	Soft Bake	Photo Resist의 solvent를 휘발시켜 PR의 Thickness 형성	90~120℃	R ≤0.3℃	△	○	15-zone
	PEB(Post Exposure Bake) Bake	I-LINE공정의 노광 파장의 Standing Wave 감소 KrF공정 이상에서는 노광 후 PR의 촉매 반응을 관리함.	90~120℃	R ≤0.3℃	△	○	15-zone
	Hard Bake	Pattern 형성 후 최종 경화 및 Dry	90~120℃	R ≤1.5℃	○	△	1-zone or 2-zone
박막 공정	H-SOH Bake	초 고온에서 고분자 Chemical의 반응을 유도하여 Hardmask 기능의 단층을 형성	400℃	R ≤12℃	○	△	1-zone or 2-zone
박막 공정	C-SOH, Si-SOH Bake	고온에서 HMDS 도포 처리를 통해 Wafer의 Adhesion을 강화	300℃	R ≤12℃	○	△	1-zone or 2-zone

Hot / Cool Plate

Hot Plate 개요

- HOT PLATE는 WAFER PHOTOLITHOGRAPHY시 BAKING을 통한 미세회로 패턴 형성을 위한 핵심부품
- 각 공정 STEP별 요구되는 사양에 부합하는 HOT PLATE 용량설계 및 형상설계가 가능함

HOT PLATE의 종류

HOT PLATE 품명	사용 온도(MAX,℃)	주 재질	비고
HP	120	A60601	SOFT BAKING 용
EHP	120	AlN	PEB 전용, 정밀급 온도제어
HHP	250	A6061	HARD BAKING 용
LP	200	A6061	HMDS 공정을 위한 진공 PLATE
SHP	320	A6061	HARD BAKING 용
UHP	420	A6061	HARD BAKING 용
AUHP	420	AlN	HARD BAKING 용
UUHP	680	AlN	신규공정 적용 가능

HOT PLATE의 구조

Cool Plate

사양

냉각능력	Approx. 600W이상 ( 설정온도 ) : 23℃, 방열수온도: 18℃, 방열수 유량: 5L/min
냉각방법	TEM ( Thermoelectric Module )에 의한 Plate 직접 제어방식
방열방식	수냉식 (유량 : 5L/min, 수온: 18℃, 수압 : 0.5MPa 이하)
Proximity 냉각	Ceramic Ball ( Φ2.38 )에 의한 Proximity Gap 80㎛
온도센서	백금 측온 저항체 ( Pt100Ω-RTD )
온도제어범위	18 ~30℃
Plate Material and Surface Treatment	Upper Plate : A6061, Hard anodizing / Bottom Plate: AC2B, 무전해 Ni 도금
PCW Path Material	SUS 316 pipe ( O.D 3 / 8 inch )
안전	Thermostat ( 60℃, Max. )