Semiconductor

PHOTO BAKE SYSTEM

PHOTO BAKE SYSTEM의 공정 상 위치

반도체 제조 공정 별 Bake 사용 구분

고정 Bake 구분 역할 사용 온도 정밀도 MICA Heater Ceramic Heater Heater
제어영역
Photo
공정
Adhesion Bake 고온에서 HMDS 도포 처리를 통해 Wafer의 Adhesion을 강화 120~180℃ R ≤1.5℃ 1-zone or 2-zone
BARC
( Bottom Anti-Reflective Coating ) Bake
ARC Chemical의 solvent를 휘발시켜 Thickness 형성 200~250℃ R ≤2.5℃ 1-zone or 2-zone
Soft Bake Photo Resist의 solvent를 휘발시켜 PR의 Thickness 형성 90~120℃ R ≤0.3℃ 15-zone
PEB(Post Exposure Bake) Bake I-LINE공정의 노광 파장의 Standing Wave 감소
KrF공정 이상에서는 노광 후 PR의 촉매 반응을 관리함.
90~120℃ R ≤0.3℃ 15-zone
Hard Bake Pattern 형성 후 최종 경화 및 Dry 90~120℃ R ≤1.5℃ 1-zone or 2-zone
박막
공정
H-SOH Bake 초 고온에서 고분자 Chemical의 반응을 유도하여 Hardmask 기능의 단층을 형성 400℃ R ≤12℃ 1-zone or 2-zone
C-SOH, Si-SOH Bake 고온에서 HMDS 도포 처리를 통해 Wafer의 Adhesion을 강화 300℃ R ≤12℃ 1-zone or 2-zone

Hot / Cool Plate

Hot Plate 개요

- HOT PLATE는 WAFER PHOTOLITHOGRAPHY시 BAKING을 통한 미세회로 패턴 형성을 위한 핵심부품
- 각 공정 STEP별 요구되는 사양에 부합하는 HOT PLATE 용량설계 및 형상설계가 가능함

HOT PLATE의 종류

HOT PLATE 품명 사용 온도(MAX,℃) 주 재질 비고
HP 120 A60601 SOFT BAKING 용
EHP 120 AlN PEB 전용, 정밀급 온도제어
HHP 250 A6061 HARD BAKING 용
LP 200 A6061 HMDS 공정을 위한 진공 PLATE
SHP 320 A6061 HARD BAKING 용
UHP 420 A6061 HARD BAKING 용
AUHP 420 AlN HARD BAKING 용
UUHP 680 AlN 신규공정 적용 가능

HOT PLATE의 구조

Cool Plate

사양

냉각능력 Approx. 600W이상 ( 설정온도 ) : 23℃, 방열수온도: 18℃, 방열수 유량: 5L/min
냉각방법 TEM ( Thermoelectric Module )에 의한 Plate 직접 제어방식
방열방식 수냉식 (유량 : 5L/min, 수온: 18℃, 수압 : 0.5MPa 이하)
Proximity 냉각 Ceramic Ball ( Φ2.38 )에 의한 Proximity Gap 80㎛
온도센서 백금 측온 저항체 ( Pt100Ω-RTD )
온도제어범위 18 ~30℃
Plate Material and Surface  Treatment Upper Plate : A6061, Hard anodizing / Bottom Plate: AC2B, 무전해 Ni 도금
PCW Path Material SUS 316 pipe ( O.D 3 / 8 inch )
안전 Thermostat ( 60℃, Max. )

그누보드5
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